杂质半导体中的少数载流子浓度取决于()A. 工艺B. 掺杂浓度C. 晶体缺陷D. 温度

本题考查杂质半导体中少数载流子浓度的决定因素。解题思路是明确杂质半导体中多数载流子和少数载流子的产生机制，以及各选项对载流子浓度的影响。

在杂质半导体中，多数载流子是由掺杂产生的，其浓度主要取决于掺杂浓度。而少数载流子是由本征激发产生的，本征激发是指在一定温度下，价电子获得足够的能量挣脱共价键的束缚成为自由电子，同时在原来的位置上留下一个空穴的过程。

• 选项A：工艺
  工艺主要影响半导体的制造过程，如掺杂的均匀性、晶体的完整性等，但它并不是直接决定少数载流子浓度的因素。所以选项A错误。
• 选项B：掺杂浓度
  掺杂浓度主要影响多数载流子的浓度，而不是少数载流子的浓度。所以选项B错误。
• 选项C：晶体缺陷
  晶体缺陷可能会影响载流子的运动和复合，但它不是决定少数载流子浓度的主要因素。所以选项C错误。
• 选项D：温度
  温度升高时，本征激发加剧，产生的电子 - 空穴对增多，少数载流子浓度也会随之增加；温度降低时，本征激发减弱，少数载流子浓度则会降低。因此，少数载流子浓度主要取决于温度。所以选项D正确。