如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构品离子半径相近,电荷相同,则易形成()A. 表面吸附B. 后沉淀C. 机械吸留D. 混晶E. 包藏

本题考查共沉淀现象中不同杂质混入沉淀的条件及类型的知识。解题的关键在于理解各种共沉淀类型的形成条件，并将题目中给出的杂质离子与沉淀构晶离子的特征与之进行匹配。

各选项分析

• A. 表面吸附：表面吸附是由于沉淀表面离子电荷的作用力未完全平衡，吸引溶液中带相反电荷的离子而引起的。它主要与沉淀表面的电荷性质和溶液中离子的浓度有关，与杂质离子和构晶离子的半径、电荷是否相近并无直接关联。所以该选项不符合题意。
• B. 后沉淀：后沉淀是指在沉淀析出后，溶液中本来难以沉淀的杂质离子，由于沉淀表面对溶液中离子的吸附作用，使得这些杂质离子在沉淀表面逐渐沉淀下来的现象。它主要取决于沉淀的表面性质和溶液中杂质离子的浓度随时间的变化，与杂质离子和构晶离子的半径、电荷关系不大。因此该选项也不正确。
• C. 机械吸留：机械吸留是指在沉淀过程中，由于沉淀生长过快，将溶液中的杂质离子包裹在沉淀内部而形成的。它主要与沉淀的生长速度和沉淀过程中的搅拌等因素有关，和杂质离子与构晶离子的半径、电荷是否相同没有必然联系。所以该选项也不符合要求。
• D. 混晶：当共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近、电荷相同时，杂质离子可以进入沉淀的晶格中，取代构晶离子的位置，从而形成混晶。这是因为半径相近和电荷相同使得杂质离子能够很好地适配沉淀的晶格结构，符合题目所给条件。所以该选项正确。
• E. 包藏：包藏是指在沉淀过程中，母液被包裹在沉淀内部而形成的。它主要与沉淀的生长方式和沉淀过程中的操作条件有关，与杂质离子和构晶离子的半径、电荷关系不明显。所以该选项也不正确。