题目
11.[判断题] 半自形晶多半是在有充分的冷凝结晶时间、有利的生长空间以及晶体生长能力较强的情况下生成的。A. 对B. 错
11.[判断题] 半自形晶多半是在有充分的冷凝结晶时间、有利的生长空间以及晶体生长能力较强的情况下生成的。
A. 对
B. 错
题目解答
答案
B. 错
解析
本题考查半自形晶的生成条件相关知识点。解题思路是明确半自形晶的定义和形成机制,然后根据其特点判断题目中所描述的生成条件是否正确。
半自形晶是指晶体的一部分具有完好的晶面,另一部分则不具晶面,呈不规则状。它的形成是在晶体生长过程中,由于生长时间、生长空间以及晶体生长能力等多种因素综合作用的结果。
当有充分的冷凝结晶时间、有利的生长空间以及晶体生长能力较强时,晶体往往能够充分生长,形成自形晶,即晶体具有完整的晶面。而半自形晶的形成通常是在生长条件不太理想的情况下,例如生长时间有限、生长空间受到限制或者晶体生长能力在不同方向上存在差异等,使得晶体不能完全发育成自形晶。所以题目中描述的条件应该生成自形晶,而不是半自形晶,该说法错误。